Los chips de 3nm de Samsung reducen el consumo de energía hasta en un 45%.
Samsung anunció que ha comenzado la producción inicial de su nodo de proceso de 3 nanómetros (nm) aplicando la arquitectura de transistores Gate-All-Around (GAA), superando a su rival TSMC, que espera comenzar a fabricar chips con su generación de nodos N3 a finales de este año, los cuales reducen el consumo de energía.
El nodo de proceso de 3nm de Samsung presenta por primera vez lo que la firma llama tecnología FET multicanal de puente (MBCFET). Esta es la versión de Samsung de la arquitectura de transistores GAA, donde el material de la puerta envuelve el canal conductor. La tecnología desafía las limitaciones de rendimiento de FinFET, mejorando la eficiencia energética al reducir el nivel de voltaje de suministro y, al mismo tiempo, mejorar el rendimiento al aumentar la capacidad de corriente de la unidad.
La tecnología patentada de la empresa utiliza nanoláminas con canales más anchos, lo que permite un mayor rendimiento y una mayor eficiencia energética en comparación con las tecnologías GAA que utilizan nanocables con canales más estrechos. Al utilizar la tecnología GAA de 3nm, Samsung podrá ajustar el ancho del canal de la nanohoja para optimizar el uso de energía y el rendimiento para satisfacer las diversas necesidades de los clientes.
En comparación con el proceso de 5 nm, el chip fabricado con el proceso de 3 nm de primera generación puede reducir el consumo de energía hasta en un 45 %, mejorar el rendimiento en un 23 % y reducir el área en un 16 % en comparación con 5 nm. El proceso de 3 nm de segunda generación reducirá el consumo de energía hasta en un 50 %, mejorará el rendimiento en un 30 % y reducirá el área en un 35 %, según la compañía.
Samsung está iniciando la primera aplicación del transistor nanosheet con chips semiconductores para aplicaciones informáticas de alto rendimiento y bajo consumo de energía que planea expandirse a procesadores móviles.
El anuncio del inicio de la producción confirma la ventaja tecnológica de Samsung sobre su rival TSMC, que aún utiliza transistores FinFET de 3 nanómetros.
“Samsung ha crecido rápidamente a medida que continuamos demostrando liderazgo en la aplicación de tecnologías de próxima generación a la fabricación, como la primera compuerta de metal High-K de la industria de la fundición, FinFET, así como EUV. Buscamos continuar con este liderazgo con el primer proceso de 3nm del mundo con MBCFET”, dijo el Dr. Siyoung Choi, presidente y director del negocio de fundición de Samsung Electronics. “Continuaremos con la innovación activa en el desarrollo de tecnología competitiva y crearemos procesos que ayuden a acelerar el logro de la madurez de la tecnología”.
Fuente: Samsung
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